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泰克2600-PCT-1B參數曲線跟蹤儀

產品簡介

泰克2600-PCT-1B參數曲線跟蹤儀
開發(fā)和使用 MOSFET、IGBT、二極管和其他大功率器件，需要全面的器件級檢定，如擊穿電壓、通態(tài)電流和電容測量。 Keithley 高功率參數化波形記錄器系列的配置支持所有的設備類型和測試參數。 Keithley 參數化波形記錄器配置包括檢定工程師快速開發(fā)全面測試系統所需的一切。

產品型號：2600-PCT-1B

更新時間：2023-07-31

廠商性質：代理商

訪問量：930

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品牌	泰克	產地類別	進口
應用領域	電子

泰克2600-PCT-1B參數曲線跟蹤儀

高性能器件特性分析

開發(fā)和使用MOSFETS、IGBTs、二極管及其他高功率器件要求完善的器件級特性分析，如擊穿電壓、開態(tài)電流和電容測量。吉時利一系列高功率參數曲線跟蹤儀配置支持全系列器件類型和測試參數。吉時利參數曲線跟蹤儀配置包括特性分析工程師迅速開發(fā)完整的測試系統所需的一切。ACS基本版軟件提供了完整的器件特性分析，包括實時跟蹤模式及全部參數模式，實時跟蹤模式用來迅速檢查基礎器件參數，如擊穿電壓；全部參數模式用來提取精確的器件參數。ACS基本版超越了傳統曲線跟蹤儀接口的能力，提供了廣泛的一系列樣本庫。更重要的是，用戶可以全面控制所有測試資源，創(chuàng)建以前在曲線追蹤儀上不能26實00現-P的C更T-先4B進型的，測試。

分析各種功率器件類型的電特性，包括：

MOSFET	IGBT	Triac	電阻器
BJT	二極管	電容器	等等...

分析各種功率器件類型的電特性，包括：

擊穿電壓 (Bvdss, Bvceo)	漏極/集電極泄漏 (Idss, Ir/Icbo,Iceo)	閾值或截止電壓 (Vth, Vf, Vbeon)	電容 (Ciss, Coss, Crss)
開態(tài)電流 (Vdson, Vcesat, Vf)	機極/基極泄漏 (Igss, Ib)	正向傳輸 (yfs, Gfs, Hfe, gain)	等等...

吉時利參數曲線跟蹤儀同時支持封裝部件測試和晶圓級測試。

主要特點:

為*性能價格比設計的完整的解決方案
現場可升級，可重新配置 – 把PCT 轉換成可靠性或晶圓分類測試儀
可以配置功率電平：
–從200V到3kV
–從1A到100A
寬動態(tài)范圍：
–從μV到kV
–從fA到100A
范圍全面的電容電壓(C-V)功能：
–從fF到μF
–支持2端子、3端子和4端子器件
–高達3kV DC偏置
高性能測試夾具支持多種封裝類型

應用

功率半導體器件特性分析與測試
GaN、SiC、LDMOS以及其他器件
特性分析
功率器件可靠性研究器件檢測與質量認證

吉時利參數曲線跟蹤儀同時支持封裝部件測試和晶圓級測試。

吉時利參數曲線跟蹤儀配置是完整的特性分析工具，包括功率器件分析所需的主要要素。測量通道包括吉時利數字源表®源測量單元(SMU)儀器和選配的多頻率電容-電壓(C-V) 表。這些儀器的動態(tài)范圍和準確度比傳統曲線跟蹤儀高出若干量級。

完整的系統附件

為了實現這種性能，吉時利公司已經開發(fā)出一系列高精密電纜，實現與吉時利8010型高功率器件測試夾具或8020型高功率接口面板的連接，前者用于封裝部件測試，后者用于晶圓級測試。對于高電壓通道，定制三軸電纜可以提供保護路徑，支持快速穩(wěn)定和超低電流，包括在3kV全高壓情況下。對于高電流通道，低電感電纜可以提供快速上升時間脈沖，使器件自熱效應達到小。

高壓電容-電壓(C-V)

測試器件電容相對DC電壓的關系正變得越來越重要。吉時利提供了PCT-CVU型多頻率電容電壓表。在與選配的200V或3kV偏置T型裝置結合使用時，可以在兩端子、三端子或四端子器件上測量電容相對電壓的關系?？梢詼y量從pF到100nF的電容，支持10kHz ~ 2MHz的測試頻率。ACS基本版軟件提供了60多種內置C-V測試，包括MOSFET Ciss、Coss、Crss、Cgd、Cgs、Cds及全套其他器件，如BJTs和二極管。一如既往，用戶可以實現全面控制，在ACS基本版軟件中開發(fā)自己的測試算法。

配置選型指南
型號1		集電極/漏極電源2		階躍發(fā)生器基極/柵極電源	輔助電源
型號1		高壓模式	高流模式	階躍發(fā)生器基極/柵極電源	輔助電源
低功率	2600-PCT-1B	200 V/10 A	200 V/10 A	200 V/10 A	N/A
高流	2600-PCT-2B	200 V/10 A	40 V/50 A	200 V/10 A	200 V/10 A
高壓	2600-PCT-3B	3 kV/120 mA 200 V/10 A		200 V/10 A	200 V/10 A
高流和高壓	2600-PCT-4B	3 kV/120 mA 40 V/50 A		200 V/10 A	200 V/10 A

1.關于定制配置，請與吉時利現場應用工程師聯系。
2. 通過添加2651A型號，可以將高電流模式增加到50A或100A。
3. 可以在任何配置中增加PCT-CVU多頻率電容表。

半導體參數測試軟件，適用于組件與分立器件

ACS基本版本軟件是專為利用吉時利儀器的高性能能力而開發(fā) 的，它包括幾個履行常見高功率器件測試的樣本庫。與其他系統不同的是，該軟件在測量通道配置方面，給用戶帶來幾乎不受限制的靈活性，可以創(chuàng)建傳統曲線跟蹤儀無法實現的測試。

多測試模式允許對一個器件進行多項測試。

跟蹤模式支持器件的交互測試。

與傳統曲線跟蹤儀相比，PCT圖形提供了高分辨率屏幕數據分析功能、完整的圖形定制能力，并能夠簡便地報告到任何字處理軟件或報告軟件。

泰克2600-PCT-1B參數曲線跟蹤儀

典型功率晶體管參數

參數	符號	測試方法¹	大量程	典型*分辨率	典型精度
擊穿電壓	Bvdss, Bvceo	Id-Vd或Id(脈沖)	±3000 V²	100 µV, 10 fA	0.05% rdg + 0.05% rng
開態(tài)電流(直流)	Vdson, Vcesat, Vf	Id–Vd	±20⁴ ，可選：±40A⁴	100 nA, 1 µV	0.05% rdg + 0.05% rng
開態(tài)電流(脈沖)	Vdson, Vcesat, Vf	Id–Vd	±50A⁴，可選：±100A⁴	100 µA, 1 µV	0.05% rdg + 0.05% rng
漏極/集電極漏電流	Idss, Ir/Icbo, Iceo	Id–Vd	±20 mA @ 3000^{2, 5}	10fA, 1µV	0.2% rdg + 1% rng
柵極/基極漏電流	Igss, Ib	Ig–Vg	±1A或±10 A脈沖³	10 fA, 1 µV	0.2% rdg + 1% rng
開態(tài)閾值電壓或截止電壓	Vth,Vf,Vbeon,Vcesat	Id–Vg	±200V³	10fA,1µV	0.2% rdg + 0.5% rng
正向傳輸導納或正向跨導	\|yfs\| Gfs, Hfe, gain	Vd–Id@Vds	1 ms ～1000s⁶	1 pA, 1 µV	1%
開態(tài)電阻	RDS(on), Vcesat	Vd–Vg@ Id	<100μΩ⁷	10μQ，1μV	1%
輸入電容	Ciss	C–V 100 kHz	100 nF 8±3 kV	10 fF, 100 µV	典型值5%+2pF
輸出電容	Coss	C–V 100 kHz	100 nF 8±3 kV	10 fF, 100 µV	典型值5%+2pF
反向傳輸電容	Crss	C–V 100 kHz	100 nF 8±3 kV	10 fF, 100 µV	典型值5%+2pF

1. 用于提取參數的測試方法。僅列出典型MOSFET，其他器件使用的方法類似。
2. 2657A型高功率系統數字源表儀器。
3. 2636B型數字源表或4210型源測量單元（SMU）儀器。
4. 2651A型高功率系統數字源表儀器或者可選擇雙2651A型高功率系統數字源表儀器。
5. 在3000V電壓時大電流20mA，在1500V電壓時大電流120mA。
6. 典型提取能力(示例: 1mA/1V ～ 1A/1mV)。
7. 典型提取能力(示例: 1mV/10A)。
8. 使用PCT-CVU和CVU-3K-KIT時，大±200V直流 (±3kV)偏置。

8010高功率器件測試夾具

8020高功率接口面板

高電流、低電感電纜

高電壓、低噪聲三同軸電纜

2600-PCT-4B型，帶有8010型測試夾具

典型測試簡介

器件	泄漏	擊穿	增益	開態(tài)
雙極型晶體管	IEBO, IECO, IEVEB, ICVCB	BVCBO, BVCEI, BVCEO, BVCEV, BVEBO, BVECO	HFE	IBCO, IBEO, IBICVBE, IBVBE, ICBO, ICEV, ICVCE_BiasIB, ICVCE_BiasVB, ICVCE_StepIB, ICVCE_StepVB, VBCO, VCE
MOSFET	IDL, IDS_ISD, IGL, ISL	BVDSS, BVDSV, BVGDO, BVGDS, BVGSO	GM	IDVD_BiasVG, IDVD_StepVG, IDVG_BiasVD, IDVG_StepVD, IDVG_StepVSUB, IGVG, VTCI, VTEXT, VTEXT_IISQ
二極管	IRDVRD	VBRIRD	NA	DYNAMICZ, IFDVFD, VFDIFD, VRDIRD
電阻器	NA	NA	NA	IV
電容器	IV	Ciss, Coss, Crss, Cgd, Cds, Cgs	NA	Independent bias on up to 4 terminals.

公式函數簡介

類型

算術

ABS, AVG, DELTA, DIFF, EXP, LN, LOG, LOG10, SQRT

參數提取

GMMAX, RES, RES_4WIRE, RES_AVG, SS, SSVTCI, TTF_ DID_LGT, TTF_LGDID_T, TTF_DID_T, TTF_LGDID_LGT, VTCI, VTLINGM, VTSATGM

擬合

EXPFIT, EXPFITA, EXPFITB, LINFIT, LINFITSLP, LINFITXINT, LINFITYINT, REGFIT, REGFITSLP, REGFITXINT, REGFITYINT, REGFIT_LGX_LGY, REGFIT_ LGX_Y, REGFIT_X_LGY, TANFIT, TANFITSLP,TANFITXINT, TANFITYINT

操作

AT, FINDD, FINDLIN, FINDU, FIRSTPOS, JOIN, LASTPOS, MAX, MAXPOS, MIN, MINPOX, POW, SMOOTH

上一個：DAQ6510/7700泰克DAQ6510/7700采集/記錄萬用表